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关于hisi3519v101烧写DDR原理的问题
想问下hisi3519v101烧写原理,下面是我遇到的情况:
1.uboot代码不改动的情况下,烧写就会卡在大约99%的位置
2.在uboot源码start.s中注释掉“start_ddr_training”之后就可以下载完成100%,
3.如果在这句话的上面加上一个死循环就卡在5%的位置。
我们板子和开发板的区别:
1.海思开发板ddr没做等长,我们自己的板子做了等长,芯片和开发板选的一样。
2.DDR的走线拓扑和开发板不太一样,我们PCB走线是flby,开发板是T型拓扑,
我想知道在5%和99%的阶段板子里是在做哪些事情,或者代码运行在那哪个位置?
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