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啥是K4B4G1646E-BCMA
啥是K4B4G1646E-BCMA
K4B4G1646E-BCMA组织为32Mbit x 16I / 0sx 8banks器件。对于一般应用,这种同步设备可实现高达1866Mb / sec / pin(DDR3-1866)的高速数据速率传输速率。
该芯片的设计符合后续翼键DDR3 SDRAM功能,例如发布的CAS,可编程CWL,内部(自)校准,使用ODT引脚的裸片终端和异步复位。
所有控制和地址输入都与一对外部提供的差分时钟同步。输入在与源同步方式的一对双向选通(DQS和DQS)同步的差分交叉点处被锁存。地址总线用于以RAS / C AS多路复用方式传送行,列和存储体地址信息。 DDR3器件的工作电压为1.35V(1.28V~1.45V)或1.5V(1.425V~1.575V),电源电压为1.35V(1.28V~1.45V)或1.5V(1.425V~1.575V)。K4B4G1646E-BCMA器件采用96ball FBGA(x16)。
特征 ·JEDEC标准1.35V(1.28V~1.45V)和1.5V(1.425V~1.575V) ·VDDQ = 135V(1.28V~145V)和1.5V(1425V~1.575V) ·400MHz fCK,800Mb /秒/引脚,533MHz fCK,1066Mb /秒/引脚, 667MHz fCK用于1333Mb / sec /引脚,800MHz fCK用于1600Mb / sec /引脚 933M Hz fCK,1866Mb / sec /引脚 ·8Banks ·可编程CAS晚期(CAS):5,6,7,8,9,10,11,12,13 ·可编程附加延迟:0,CL-2或CL-1时钟 ·可编程CAS写延迟(CWL)= 5(DDR3-800),6(DDR3-1066),7(DDR3-1333),8(DDR3-1600)和9(DDR3-1866) ·8位预取 ·突发长度:8,4,tCCD = 4,不允许无缝读取或写入[使用A12或MRS随时随地] ·双向差分数据选通 ·内部(自校准):通过ZQ引脚进行内部自校准 (RZQ:240欧姆±1%) ·使用OD T引脚进行裸片端接 ·平均刷新周期7.8us低于TCASE 85 C,3.9us at 85℃<TCASE <95℃ ·支持Indus试用Termp(-4095 C) -tREFI 7.8us at-40 OCTCASE≤85C -tREFI 3.9us at 85OC <TCASE≤95C ·异步复位 ·包装:96球FBGA-×16 ·所有无铅产品均符合RoHS标准 ·所有产品均为Halo gen-free 更多原装现货K4B4G1646E-BCMA,可以搜索:http://www.dzsc.com/ic-detail/9_8590.html
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