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mikcandy0922  发布于  2019-04-17 15:28:09
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STD3NK80ZT4小知识

项目外包
 

STD3NK80ZT4小知识

描述 SuperMESHTM系列是通过对ST完善的基于Strip的PowerMESHTM布局进行极端优化而获得的。除了显着降低导通 电阻外，还要特别注意确保在最苛刻的应用中具有非常好的dv / dt能力。 此类系列补充了ST全系列高压MOSFET，包括革命性的MDmeshTM产品。

特征 ■极高的dv / dt能力 ■100％雪崩测试 ■栅极电荷最小化 ■极低的固有电容 ■非常好的制造可重复性

规格参数 制造商：ST MICROELECTRONICS 晶体管类型：N-MOSFET
技术：SuperMesh 极化：单极
漏极-源极电压：800V
漏极电流：1.57A
耗电：70W
封装：DPAK 栅极-源极电压：±30V
开启状态电阻：4500mΩ
安装：SMD
包装类型：卷, 胶带
半导体设备特性：ESD protected gate

应用 ■切换应用程序 更多原装现货STD3NK80ZT4，可以搜索：http://www.dzsc.com/ic-detail/9_2708.html

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