对于MMBZ33VALT1G你必须知道的事

对于MMBZ33VALT1G你必须知道的事

      这些双单片硅齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于电压和ESD敏感设备，如计算机，打印机，商用机器，通信系统，医疗设备和其他应用。它们的双结型cormmon阳极设计仅使用一个封装即可保护两条独立的线路。这些器件非常适用于电路板空间为prermium的情况。

特征
·可提供无铅封装
·SOT-23封装可以实现两个单独的单向配置或单个双向配置
·工作峰值反向电压范围-3 V至26V
·标准齐纳击穿电压范围-5.6 V至33V
·峰值功率-24或40瓦@ 1.0 ms（单向），按图5Wavefom
·根据Hurman人体模型，N级（超过16 kV）的ESD等级
·峰值脉冲电流的最大压痕电压
·低泄漏<5.0 mA
·易燃性等级UL94V-O

机械特性
表壳：无空隙，转移模塑，然后固定塑料外壳
表面处理：耐腐蚀表面，易于焊接
用于焊接目的的最高外壳温度：260℃，10秒钟封装设计用于优化自动板装配小封装尺寸适用于高密度应用提供8 rmm卷带和卷盘。
使用设备NURmber订购7英寸/ 3,000单位卷轴。将设备Nurmber中的“T1”替换为“T3”以订购13英寸/ 10,000单位卷轴。
更多原装现货MMBZ33VALT1G，可以搜索：http://www.dzsc.com/ic-detail/9_1221.html