AO4805详细规格资料

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AO4805详细规格资料

一般说明
      AO4805采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(on)和超低低栅极电荷，额定栅极电压为25V。该器件适合用作负载开关或PWM应用。

规格参数
制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc
RoHS：ROHS 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
封装：剪切带 (CT)
说明：MOSFET DUAL P-CH -30V -8A 8-SOIC
其它图纸：AO4xxx Series 8-SOIC TopAO4xxx Series 8-SOIC EndAO4xxx Series 8-SOIC Side
标准包装：1
类别：分立式导体产品
家庭：FET - 阵列
系列：-
包装：剪切带 (CT)
FET 类型：2 个 P 沟道（双）
FET 功能：逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)：30V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：8A
不同 Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）：19 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：45nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2500pF @ 15V
功率 - 最大值：2W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SOIC
产品目录页面：1668 (CN2011-ZH PDF)
其它名称：785-1055-1
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