为什么无法烧写文件系统？或者flash出现非常多的bad block？

常见错误
hisilicon # nand write.yaffs 0x82000000 0x700000 0x1928ac0
NAND write: device 0 offset 0x700000, size 0x1928ac0
Attempt to write non page aligned data, length 26380992 4096 128
26380992 bytes written: ERROR

解决方法：
这是由于制作yaffs文件系统的时候指定的pagesize和ecc参数与单板上的nand flash的实际物理参数不匹配导致的，请确认单板上的nand flash的pagesize和ecc参数后重新制作一个文件系统。注意pagesize和ecc参数错误并不一定导致烧写错误，可能也能烧进去，但是还是会启动不起来，并且打印bad block n之类，碰到此类错误，也请重新制作文件系统，并且用
“nand scrub NandFlash地址 长度”命令把yaffs文件系统所在的区域清理一遍才能再次烧写yaffs文件系统， 比如 “nand scrub 400000 1000000”表示从0x400000开始清理64M。如果最后一个参数不传，则表示从此地址开始清理至nand flash结束，比如“nand scrub 400000”表示清理从0x400000开始的所有flash空间。
那么怎样才能知道nand flash的pagesize和ecc类型呢？就看内核启动时候的打印， 内核启动的时候会有许多打印，找到其中的这几句：
Hisilicon Nand Flash Controller V300 Device Driver, Version 1.00
Nand ID: 0xAD 0xDC 0x10 0x95 0x54 0xAD 0xDC 0x10
Nand(Hardware): Block:128K Page:2K Ecc:1bit Chip:512M OOB:64Byte
NAND device: Manufacturer ID: 0xad, Chip ID: 0xdc (Hynix NAND 512MiB 3,3V 8-bit)
红色字体的那一行里面就有page和ecc的大小。如果找不到这个打印，说明海思的发布包不支持这种类型的flash。