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大家对海思3536\3531A及3531D中ECC 模式器件数据存储结构 如何理解
在海思后端芯片产品化的阶段,如果产品仅使用nand 或spi nand的话,直接使用烧录器一次性烧录镜像合集时,避免不了在程序镜像合集中追加产品信息字段文件的过程。
由于非nor flash器件,追加的产品信息文件,就算以raw格式文件合入,也必须要计算ECC。
在海思芯片手册上第四章存储器接口中提到了,如下描述:
4.3.5.2 8bit ECC 模式器件数据存储结构
2KB page size
8bit ECC 模式 2KB page size 配置下,写到 SPI NAND Flash 中的数据结构如图 4-35 所
示。把软件有效数据切成 2 个1040byte 的数据块,每 1040byte 数据计算一次 ECC。写
到 SPI NAND Flash 器件内部的数据结构会自动调整为 1040byte 数据+14byte ECC 码的
格式交替存放,共2 组,BB 信息放在 SPI NAND Flash spare 区的首两个字节。
我觉得计算ecc的算法都是以256 512 1024 等为基本块单位计算的,数据手册上的这个1040byte计算一次ecc,这算法怎么写?多出的这16字节如果处理,剔除吧不合理,再补齐一次1024吧又有点过分。大家对此有什么理解吗?
在uboot和内核中参看过这一块的源码,貌似是驱动器自己转换的格式,和源码无关啊还是我眼瞎没看到
相应的源码。
由于非nor flash器件,追加的产品信息文件,就算以raw格式文件合入,也必须要计算ECC。
在海思芯片手册上第四章存储器接口中提到了,如下描述:
4.3.5.2 8bit ECC 模式器件数据存储结构
2KB page size
8bit ECC 模式 2KB page size 配置下,写到 SPI NAND Flash 中的数据结构如图 4-35 所
示。把软件有效数据切成 2 个1040byte 的数据块,每 1040byte 数据计算一次 ECC。写
到 SPI NAND Flash 器件内部的数据结构会自动调整为 1040byte 数据+14byte ECC 码的
格式交替存放,共2 组,BB 信息放在 SPI NAND Flash spare 区的首两个字节。
我觉得计算ecc的算法都是以256 512 1024 等为基本块单位计算的,数据手册上的这个1040byte计算一次ecc,这算法怎么写?多出的这16字节如果处理,剔除吧不合理,再补齐一次1024吧又有点过分。大家对此有什么理解吗?
在uboot和内核中参看过这一块的源码,貌似是驱动器自己转换的格式,和源码无关啊还是我眼瞎没看到
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