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【求助】Hi3516a DDR Training报错
本帖最后由 singsuner 于 2016-3-31 10:58 编辑
DDR使用的是2块NT5CC256M16CP-DI,每块是16bit、4Gb,与官方Demo板使用的H5TC4G63AFR-PBA唯一不同的应该就是电压了,我用的DDR供电电压是1.35V。
Hi3516a从片外SPI Flash启动,在DDR Training之后报错:
"SWL00000002 DDR training failed,result:00020001"
看报错信息应该是高16bit对应的DDR出错,与是参照官方文档将其屏蔽,改为16bit模式,训练正常。但是问题来了,向DDR中写入和读出的数据不一样,出错的基本是低8bit,每次向相同地址写入相同数据,读出后错误相同,如“0x14”变为“”0x55”。
只有向内存地址低4bit为0的地址写入和读取数据有时候是正确的。对2个地址读写之间加上延时也是如此。
我想请问DDR Training出错以及这种读写数据不同的原因更可能是硬件问题还是时序的问题呢?难道是因为使用的DDR是低压版的?跪求高手指导一二!!!!
p.s.我用FastBoot无法烧写uboot,只能使用烧录器离线烧写SPI Flash,选择从片外SPI Flash启动,Flash地址模式只能选择3Byte模式,4Byte无法启动,这又是为何呢?
求解救,求指导!!
补充内容 (2016-4-25 11:01):
最新测试的结果:对DDR全部512MB空间按字节进行读写测试,发现奇数地址读写数据一致,而偶数地址读回的数据总是0x00,求指导!!
DDR使用的是2块NT5CC256M16CP-DI,每块是16bit、4Gb,与官方Demo板使用的H5TC4G63AFR-PBA唯一不同的应该就是电压了,我用的DDR供电电压是1.35V。
Hi3516a从片外SPI Flash启动,在DDR Training之后报错:
"SWL00000002 DDR training failed,result:00020001"
看报错信息应该是高16bit对应的DDR出错,与是参照官方文档将其屏蔽,改为16bit模式,训练正常。但是问题来了,向DDR中写入和读出的数据不一样,出错的基本是低8bit,每次向相同地址写入相同数据,读出后错误相同,如“0x14”变为“”0x55”。
只有向内存地址低4bit为0的地址写入和读取数据有时候是正确的。对2个地址读写之间加上延时也是如此。
我想请问DDR Training出错以及这种读写数据不同的原因更可能是硬件问题还是时序的问题呢?难道是因为使用的DDR是低压版的?跪求高手指导一二!!!!
p.s.我用FastBoot无法烧写uboot,只能使用烧录器离线烧写SPI Flash,选择从片外SPI Flash启动,Flash地址模式只能选择3Byte模式,4Byte无法启动,这又是为何呢?
求解救,求指导!!
补充内容 (2016-4-25 11:01):
最新测试的结果:对DDR全部512MB空间按字节进行读写测试,发现奇数地址读写数据一致,而偶数地址读回的数据总是0x00,求指导!!
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