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开关变压器简易计算
晶体管的选择:考虑到安全因素,要具有一定的安全系素。经验资料如下:
直流电源电压: 晶体管集射极耐压BVCEO
6~8V ≥20~30V
12~14V ≥60~80V
24~28V ≥80~100V
计算晶体管集电极电流:ICM(A)=输出功率P(W)÷ 输入电压V(V)× 效率。
式中输入电压即电源电压。效率与选择的电路有关,一般在百分之60~80之间。
铁芯截面积:S(平方厘米)=k×变压器额定功率的平方根, k的选择见下表
P(VA) 5-10 10-50 50-100 100-500 500-1000
k 2-1.75 1.75-1.5 1.5-1.35 1.35-1.25 1.25-1
变压器铁芯的选择:业余制作对变压器铁心要求并不严格。不过硅钢片最好选用薄而
质地脆的,或者采用铁氧体磁心。漆包线用高强度的,绕线需用绕线机紧密平绕。
安插硅钢片时要严格平整。初级绕组两端电压与铁心截面积和工作频率等参数的
关系可以用公式表示如下:V=4.44×10-8SKFBN
式中 S --- 铁心截面积(平方厘米);
K --- 硅钢片间隙系数(0.9~0.95);
F --- 逆变器工作频率(赫兹);
B --- 饱和磁通密度(T);
N --- 线圈的匝数(圈);
V --- 初级绕组的电压(伏特)。
K的数值与硅钢片的厚度及片与片之间的间隙有关,铁心层迭越紧,K值越高,
一般K取0.9即可。逆变器的工作频率,主要由所选择的铁心决定。采用硅钢片铁心,
逆变器工作频率低于2KHZ。采用不同的铁氧体磁心,工作频率在2KHZ~40KHZ之
间。如果工作频率超出了磁心的固有频率,则高频损耗十分严重。饱和磁通密度
B,对不同规格的硅钢片,其值不同,一般在0.5~1.4T之间。硅钢片薄而质地脆,
则磁性好,B可取大些;硅钢片厚而质地软,则磁性差,B可取小些。
铁氧体磁心的B取0.2~0.5T左右。
初级绕组双线并绕,绕制变压器时,人们习惯于使用每伏匝数,这可用下式表达:
每伏匝数 N =2500/SKFB ; 式中K为硅钢片间隙系数(0.9~0.95);
线 径 D(mm)=0.715×I的平方根。
直流电源电压: 晶体管集射极耐压BVCEO
6~8V ≥20~30V
12~14V ≥60~80V
24~28V ≥80~100V
计算晶体管集电极电流:ICM(A)=输出功率P(W)÷ 输入电压V(V)× 效率。
式中输入电压即电源电压。效率与选择的电路有关,一般在百分之60~80之间。
铁芯截面积:S(平方厘米)=k×变压器额定功率的平方根, k的选择见下表
P(VA) 5-10 10-50 50-100 100-500 500-1000
k 2-1.75 1.75-1.5 1.5-1.35 1.35-1.25 1.25-1
变压器铁芯的选择:业余制作对变压器铁心要求并不严格。不过硅钢片最好选用薄而
质地脆的,或者采用铁氧体磁心。漆包线用高强度的,绕线需用绕线机紧密平绕。
安插硅钢片时要严格平整。初级绕组两端电压与铁心截面积和工作频率等参数的
关系可以用公式表示如下:V=4.44×10-8SKFBN
式中 S --- 铁心截面积(平方厘米);
K --- 硅钢片间隙系数(0.9~0.95);
F --- 逆变器工作频率(赫兹);
B --- 饱和磁通密度(T);
N --- 线圈的匝数(圈);
V --- 初级绕组的电压(伏特)。
K的数值与硅钢片的厚度及片与片之间的间隙有关,铁心层迭越紧,K值越高,
一般K取0.9即可。逆变器的工作频率,主要由所选择的铁心决定。采用硅钢片铁心,
逆变器工作频率低于2KHZ。采用不同的铁氧体磁心,工作频率在2KHZ~40KHZ之
间。如果工作频率超出了磁心的固有频率,则高频损耗十分严重。饱和磁通密度
B,对不同规格的硅钢片,其值不同,一般在0.5~1.4T之间。硅钢片薄而质地脆,
则磁性好,B可取大些;硅钢片厚而质地软,则磁性差,B可取小些。
铁氧体磁心的B取0.2~0.5T左右。
初级绕组双线并绕,绕制变压器时,人们习惯于使用每伏匝数,这可用下式表达:
每伏匝数 N =2500/SKFB ; 式中K为硅钢片间隙系数(0.9~0.95);
线 径 D(mm)=0.715×I的平方根。
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