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再说STM32中使用Flash模拟EEPROM
这是一片讲得很透彻的帖子,其实Flash也没那么难用 原帖:http://www.amobbs.com/thread-5288587-1-1.html 关于这个话题已经有很多贴了,况且官方也出了操作例程,但是感觉还是比较繁琐!
最近要用到这个功能,例程看了半天还是不怎么明白,最后只好仔细阅读了下<STM32F10xxx闪存编程>,感觉其实挺简单的,就是按照资料上说的操作相关的寄存器就可以了。
附上源程序:
define PAGE_ADDR (0x08000000 + 63 * 1024)
/***
- 函数名称: MemReadByte()
- 函数功能: 从存储器中读出num字节数据
- 入口参数: *dat:读出数据的保存地址
- num :读出的字节数
- 出口参数: 0:操作失败;1:操作成功
- 使用说明: 无
-
创建日期: 2010年12月15日 ***/ uint8 MemReadByte(uint16 data,uint16 num)
{ uint16 temp_addr = (uint16 *)PAGE_ADDR;while(num --) { *data ++ = *temp_addr ++; } return 1;
}
/***
- 函数名称: MemWriteByte()
- 函数功能: 向存储器中写入num字节数据
- 入口参数: *dat:待写入数据
- num :写入的字节数
- 出口参数: 0:操作失败;1:操作成功
- 使用说明: 无
-
创建日期: 2010年12月15日 ***/ uint8 MemWriteByte(uint16 *data,uint16 num)
{ FLASH_Status temp_stat; uint32 temp_addr = PAGE_ADDR;FLASH_Unlock(); // Flash解锁,允许操作相关的寄存器 temp_stat = FLASH_ErasePage(PAGE_ADDR); // 擦出制定的页 if(temp_stat != FLASH_COMPLETE) { FLASH_Lock(); return 0; } while(num --) { temp_stat = FLASH_ProgramHalfWord(temp_addr,*data); if(temp_stat != FLASH_COMPLETE) { FLASH_Lock(); return 0; } temp_addr += 2; data++; } FLASH_Lock(); return 1;
}
include "app_cfg.h"
uint16 write_buf[10] = {0,1,2,3,4,5,6,7,8,9};
int main(void) { uint16 cnt;
STM32Init();
MemWriteByte(write_buf,10);
for(cnt = 0;cnt < 10;cnt ++)
{
write_buf[cnt] = 11;
}
MemReadByte(write_buf,10);
while(1)
{
;
}
}
上面的程序是在63K开始的Flash中写入10个16位的数据,然后在把他读出来,当然在每次写时需要擦除一整页,只要数据不是非常频繁修改,不会影响Flash的使用寿命!
简单吧,呵呵!
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