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在Realview MDK中添加自己的FLASH编程算法
在RealviewMDK中,Flash烧写算法不是通用的,都是针对具体的Flash存储芯片的。由于市面上的Flash种类比较多,所以Realview MDK不可能包含所有的Flash芯片烧写程序。但是在具体的应用中,开发者在Realview MDK中可能会找不到自己所需要的Flash烧写程序,这时,用户就必须自己添加Flash烧写程序。本文将详细的探讨这种方法。
Realview MDK已经定义好了添加到其中的Flash烧写算法的接口,包括1个描述Flash芯片的结构体和6个对Flash芯片操作的函数定义。详细的内容可以参考下面的代码。
structFlashDevice {
unsigned short Vers; //体系结构及版本号;
char DevName[128]; //设备的名称及描述;
unsigned short DevType; //设备的类型,例如: ONCHIP, EXT8BIT,EXT16BIT等等;
unsigned long DevAdr; //默认设备的起始地址;
unsigned long szDev; //设备的总容量;
unsigned long szPage; //页面的大小;
unsigned long Res; //保留,以便将来扩展之用;
unsigned char valEmpty; // Flash擦除后储存单元的值;
unsigned long toProg; //页写函数超时的时间;
unsigned long toErase; //扇区擦除函数超时的时间;
struct FlashSectors sectors[SECTOR_NUM]; //扇区的起始地址及容量设置数组。
};
extern int Init (unsigned long adr, unsigned long clk, unsignedlongfnc);
extern int UnInit (unsigned long fnc);
extern int BlankCheck (unsigned long adr, unsigned long sz, unsignedcharpat);
extern int EraseChip (void);
extern int EraseSector (unsigned long adr);
extern int ProgramPage (unsigned long adr, unsigned long sz, unsigned char *buf);
externunsigned long Verify (unsigned long adr, unsignedlongsz, unsigned char
*buf);
在RealviewMDK中,添加Flash烧写算法的实质就是填充上面的那个结构体以及实现那6个函数。至于几个函数是如何被RealviewMDK调用的,用户不必关心,这些是由Realview MDK自动管理的,只要正确的实现了上面的那些内容,开发者就可以将Realview MDK编译链接后的程序下载到自己的Flash芯片中去。下面是添加一个Flash烧写的详细步骤:
1. 在C:\Keil\ARM\Flash下新建一个空的子文件夹;
2. 在 Flash 文件夹中选择一个已存在的,且和欲添加的 Flash 算法相近的内容(如
..\ARM\Flash\LPC_IAP_256) 拷贝到这个新文件中,并将此算法作为新算法的模板;
3. 重命名工程文件LPC_IAP_256.UV2以表示新的FlashROM设备名,如29F400.UV2并用μVisionIDE
将其打开;
4. 在对话框Project-OptionsforTarget-Output中将所有的输出文件名(如 LPC_IAP_256)替换为新的
设备名;
5. 编辑FlashPrg.C文件并为EraseChip,EraseBlock及ProgramBlock定义函数代码。在函数Init和UnInit
中编写算法所需的初始化以及卸载代码;
6. 在文件FlashDev.C中的structFlashDevice结构体中定义设备参数;
7. 重新编译工程,将在C:\Keil\ARM\Flash文件夹下生成*.FLX 格式的Flash编程算法。此文件即为
所添加的Flash编程算法;
8. 使用ConfigureFlashDownload 中的Add按钮可将此编程算法文件添加到目标应用工程中。
Realview MDK已经定义好了添加到其中的Flash烧写算法的接口,包括1个描述Flash芯片的结构体和6个对Flash芯片操作的函数定义。详细的内容可以参考下面的代码。
structFlashDevice {
unsigned short Vers; //体系结构及版本号;
char DevName[128]; //设备的名称及描述;
unsigned short DevType; //设备的类型,例如: ONCHIP, EXT8BIT,EXT16BIT等等;
unsigned long DevAdr; //默认设备的起始地址;
unsigned long szDev; //设备的总容量;
unsigned long szPage; //页面的大小;
unsigned long Res; //保留,以便将来扩展之用;
unsigned char valEmpty; // Flash擦除后储存单元的值;
unsigned long toProg; //页写函数超时的时间;
unsigned long toErase; //扇区擦除函数超时的时间;
struct FlashSectors sectors[SECTOR_NUM]; //扇区的起始地址及容量设置数组。
};
extern int Init (unsigned long adr, unsigned long clk, unsignedlongfnc);
extern int UnInit (unsigned long fnc);
extern int BlankCheck (unsigned long adr, unsigned long sz, unsignedcharpat);
extern int EraseChip (void);
extern int EraseSector (unsigned long adr);
extern int ProgramPage (unsigned long adr, unsigned long sz, unsigned char *buf);
externunsigned long Verify (unsigned long adr, unsignedlongsz, unsigned char
*buf);
在RealviewMDK中,添加Flash烧写算法的实质就是填充上面的那个结构体以及实现那6个函数。至于几个函数是如何被RealviewMDK调用的,用户不必关心,这些是由Realview MDK自动管理的,只要正确的实现了上面的那些内容,开发者就可以将Realview MDK编译链接后的程序下载到自己的Flash芯片中去。下面是添加一个Flash烧写的详细步骤:
1. 在C:\Keil\ARM\Flash下新建一个空的子文件夹;
2. 在 Flash 文件夹中选择一个已存在的,且和欲添加的 Flash 算法相近的内容(如
..\ARM\Flash\LPC_IAP_256) 拷贝到这个新文件中,并将此算法作为新算法的模板;
3. 重命名工程文件LPC_IAP_256.UV2以表示新的FlashROM设备名,如29F400.UV2并用μVisionIDE
将其打开;
4. 在对话框Project-OptionsforTarget-Output中将所有的输出文件名(如 LPC_IAP_256)替换为新的
设备名;
5. 编辑FlashPrg.C文件并为EraseChip,EraseBlock及ProgramBlock定义函数代码。在函数Init和UnInit
中编写算法所需的初始化以及卸载代码;
6. 在文件FlashDev.C中的structFlashDevice结构体中定义设备参数;
7. 重新编译工程,将在C:\Keil\ARM\Flash文件夹下生成*.FLX 格式的Flash编程算法。此文件即为
所添加的Flash编程算法;
8. 使用ConfigureFlashDownload 中的Add按钮可将此编程算法文件添加到目标应用工程中。
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