英特尔完成1.8纳米和2纳米生产节点的开发
据报道,英特尔已经完成了英特尔18A(1.8纳米级)和英特尔20A(2纳米级)制造工艺的开发,这些工艺将用于制造公司自己的产品,以及为其英特尔代工服务(IFS)部门的客户提供芯片。
英特尔中国区总裁兼董事长王锐在一次活动中表示,该公司已经完成了英特尔18A(18埃级)和英特尔20A(20埃级)制造工艺的开发。这并不意味着生产节点已准备好用于商业制造,而是英特尔已经确定了这两种技术的所有规格、材料、要求和性能目标。
英特尔的20A制造技术将依赖于栅极全能RibbonFET晶体管,并将使用后置电源传输。缩小金属间距,引入全新的晶体管结构,同时增加后置电源传输,这是一个冒险的举动,但预计20A将使英特尔超越该公司的竞争对手——台积电和三星代工。英特尔计划在2024年上半年开始使用该节点。
英特尔的18A制造工艺将进一步完善公司的RibbonFET和PowerVia技术,并缩小晶体管尺寸。这一节点的发展显然进展顺利,英特尔将其推出时间从2025年推迟到2024年下半年。英特尔最初计划在1.8埃的节点上使用ASML的Twinscan EXE扫描仪,该扫描仪具有0.55数值孔径(NA)光学器件,但由于它决定更快地开始使用该技术,因此它将不得不大量使用现有的TwinsScan NXE扫描仪(0.33 NA光学器件)以及EUV双图案。
该公司自己预计,当其在2024年下半年进入大规模制造(HVM)时,其1.8nm级制造技术将成为行业最先进的节点。
英特尔的20A和18A制造技术正在为公司自己的产品以及IFS将为其代工客户生产的芯片开发。
英特尔首席执行官帕特·盖辛格(Pat Gelsinger)在最近与分析师和投资者举行的电话会议上表示:“我们与10个最大的代工客户中的7个客户有着积极的合作关系,并持续增长,包括43个潜在客户和生态系统合作伙伴测试芯片。”。“此外,我们继续在Intel 18A上取得进展,并已与我们的主要客户共享了PDK 0.5(工艺设计套件)的工程版本,预计将在未来几周内发布最终的生产版本。”
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