Cadence Voltus-功耗分析&IR-Drop(二)
- IR Drop & Ground Bounce
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IR Drop
理想状态下,下图v1、v2、v3、v4节点的电压应该相同,而实际上电流从VDD pad流到v4经历了R11-R12-R13-R14等电阻网络,产生了压降,导致G4 cell的power pin的电压不足VDD,一般电压降需要控制在2%-5%以内,具体根据实际项目、实际工艺等决定;
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Ground Bounce
同样,G4 cell的ground pin的电流要经过R24-R23-R22-R21回流到VSS pad,因此G4 cell的ground pin电压也不是0,产生了Ground Bounce;
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Average and Peak current当G1、G2、G3、G4同时翻转,瞬时IR Drop将会很大,计算如下:如果每4拍发生一次全翻转,那么G4的IR Drop平均下来就只有其1/4。实际上,芯片规模越大,cell全部同时翻转的概率就越小,因此Average IR Drop和Peak IR Drop的值就相近。
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Static IR-Drop目前对于130nm及以上的设计,Static IR-Drop仍然广泛使用,其能有效分析出由于power rail开路、via丢失、power straps不足、电源线宽度不足等等问题造成的IR Drop & EM问题,尤其是EM分析,由于Static IR-Drop可以仿真芯片长时间使用的平均损耗,所以对分析EM而言更加接近真实情况。后端设计可利用Static IR-Drop先将IR Drop优化到2%-5%以内(具体根据实际项目决定),然后利用Dynamic analysis分析transient IR Drop。
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Decoupling capacitors(to mitigate voltage drops)
添加足够的Decoupling capacitors可有效缓和transient电压降,这时,Dynamic IR Drop和Static IR-Drop的分析结果则相近。
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IR-Drop -> Setup & Run
上一篇文章Cadence Voltus-功耗分析&IR-drop(一)已经写了如何生成power grid library,其中technology library是rail analysis必须的配置,且应写在各个power grid library最前面,为了提高IR分析的精度,std cell & macro也被要求利用spice model/spice corner/spice subckts生成power grid library。
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IR drop plot
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转载:全栈芯片工程师
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