5v1a充电器芯片方案可省RCD元件
5V1A的充电器是市场上应用比较多的类型,它支持的功能全面,而且稳定,5v1a充电器芯片PN8366六级能效充电方案,骊微电子该方案拥有低待机、高效率、小体积、高可靠性等优点,备受工程师青睐!
PN8366集成超低待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 700V,PN8366H 800V),用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。PN8366为原边反馈工作模式,可省略光耦和TL431。内置高压启动电路,可实现芯片空载损耗(230VAC)小于30mW。在恒压模式,采用准谐振与多模式技术提高效率并消除音频噪声,使得系统满足6级能效标准,可调输出线补偿功能能使系统获得较好的负载调整率;在恒流模式,输出电流和功率可通过CS脚的电阻进行调节。该芯片提供了极为全面的智能保护功能,包含逐周期过流保护、过压保护、开环保护、过温保护、输出短路保护和CS开/短路保护等。
5v1a充电器芯片方产品特性
■ 内置高雪崩能力智能功率MOSFET(M 700V/H 800V)
■ 内置高压启动电路,小于30mW空载损耗(230VAC)
■ 采用准谐振与多模式技术提高效率,满足6级能效标准
■ 全电压输入范围±5%的CC/CV精度
■ 原边反馈可省光耦和TL431
■ 恒压、恒流、输出线补偿外部可调
■ 无需额外补偿电容
■ 无音频噪声
■ 智能保护功能
— 过温保护 (OTP)
— VDD欠压&过压保护 (UVLO&OVP)
— 逐周期过流保护 (OCP)
— CS开/短路保护 (CS O/SP)
— 开环保护 (OLP)
PN8366方案采用单面板设计,双面无器件,散热性能好,输入电压:90~264Vac;输出功率:5W;待机功率<50mW.启动时间小于100MS;拥有输出短路保护,输出欠压保护,满足六级能效要求,效率达到73.6%。裕量充足。
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