新品快讯 | Nexperia(安世半导体)宣布推出新一代 650V 氮化镓 (GaN) 技术
新一代氮化镓技术针对汽车、5G 和数据中心等应用;新器件采用了传统的 TO-247 封装和创新的铜夹片贴片封装 CCPAK。
奈梅亨,2020 年 6 月 10 日:半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)宣布推出一系列采用新一代 H2 技术的全新高压氮化镓场效应管。
新器件包含两种封装,TO-247 和 Nexperia(安世半导体)专有的 CCPAK。两者均实现了更出色的开关和导通性能,并具有更好的稳定性。由于采用了级联结构并优化了器件相关参数,Nexperia(安世半导体)的氮化镓场效应管无需复杂的驱动和控制,应用设计大为简化;使用标准的硅 MOSFET 驱动器也可以很容易地驱动它们。
新的氮化镓技术采用了贯穿外延层的过孔,减少了缺陷并且芯片尺寸可缩小约 24%。TO-247 封装的新器件,导通电阻 RDS(on) 降低到仅 41mΩ(最大值,25℃的典型值为 35mΩ),同时具有高的栅级阀值电压和低反向导通电压。CCPAK 封装的新器件,将导通电阻值进一步降低到 39mΩ(最大值,25℃的典型值为 33mΩ)。两种封装的新器件均符合 AEC-Q101 标准,可满足汽车应用的要求。
氮化镓战略营销总监Dilder Chowdhury 表示:
“客户需要导通电阻 RDS(on) 为 30~40mΩ 的 650V 新器件,以便实现经济高效的高功率转换。相关的应用包括电动汽车的车载充电器、高压 DC-DC 直流转换器和发动机牵引逆变器; 以及 1.5~5kW 钛金级的工业电源,比如:机架装配的电信设备、5G 设备和数据中心相关设备。Nexperia 持续投资氮化镓开发,并采用新技术扩充产品组合。首先为功率模块制造商提供了传统的 TO-247封装器件和裸芯片,并随后提供我们高性能的CCPAK 贴片封装的器件。”
Nexperia(安世半导体)的 CCPAK 贴片封装采用了创新的铜夹片封装技术来代替内部的封装引线。这样可以减少寄生损耗,优化电气和热性能,并提高可靠性。CCPAK 封装的氮化镓器件提供顶部或底部散热两种配置,使其更通用,并有助于进一步改善散热。
650V TO-247封装的GAN041-650WSB 和 CCPAK 封装的 GAN039-650NBB 目前均可提供样品。
说明:本文出自公众号【安世半导体】,版权归原作者所有,转载请注明出处。
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